電(diàn)子元器件
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可靠性試驗測試驗證服務
■ 完整試驗項目
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高溫反偏試驗(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下(xià)給樣本加載反向偏置電(diàn)壓的應力,以此評估産品的在電(diàn)和溫度作用下(xià)的持久能力。
杭州芯測微擁有多台高溫反偏試驗系統,可為各種封裝形式的二極管、三極管、場效應管、可控矽、橋堆和IGBT等半導體(tǐ)分(fēn)立器件的高溫反偏試驗(HTRB)、高溫栅偏試驗(HTGB)高溫漏電(diàn)流測試(HTIR)和老煉篩選。
高溫高濕反偏試驗系統(High Humidity, High Temperature Reverse Bias,H3TRB)是在高溫高濕(85℃,85%)環境下(xià)加上反向電(diàn)壓,判定産品高溫,高濕,偏壓條件下(xià)對濕氣的抵抗能力,加速其失效進程,同時可附帶評價器件外(wài)觀的侵蝕試驗。我(wǒ)(wǒ)司擁有多台高溫高濕反偏試驗系統,可為各種封裝形式的二極管、三極管、場效應管、可控矽、橋堆和IGBT等半導體(tǐ)分(fēn)立器件的H3TRB試驗
我(wǒ)(wǒ)司擁有多台HAST試驗箱,能夠為各類塑封電(diàn)子元器件開(kāi)展HAST加速老化試驗。
高加速溫度和濕度壓力測試是一(yī)個以溫度和濕度為基礎的電(diàn)子元件可靠性試驗方法。其目的是評估測試樣本在水蒸汽壓力增加到一(yī)定程度下(xià)的耐濕性。這是一(yī)個相當極端的測試,加速因子在幾十到幾百倍之間,下(xià)表為不同試驗條件和時間。
間歇壽命試驗(Intermittent Operational Life Test,IOL)是使器件循環加載功率應力,加速器件芯片與安裝表面之間所有鍵合和界面的應力,以此評估産品的可靠性。
杭州芯測微擁有多台分(fēn)立器件間歇壽命試驗系統,适用于各種封裝的整流二極管、雙極型晶體(tǐ)管、MOS 場效應晶體(tǐ)管、IGBT 管等間歇壽命試驗和老煉篩選。
恒溫恒濕試驗(Temperature humidity test, TH)是判定電(diàn)子元器件對長時間恒溫恒濕的耐久性适應能力的試驗。
杭州芯測微擁有多台高溫高濕試驗箱,可開(kāi)展各種恒溫恒濕試驗。
高溫工(gōng)作壽命試驗系統(High temperature operation life, HTOL)是主要用于半導體(tǐ)器件(如IC)高溫功率耐久性測試,考察失效機制如電(diàn)子遷移,氧化層破裂,相互擴散,不穩定性,離(lí)子玷污等。
我(wǒ)(wǒ)司擁有各種專業HTOL設備,可根據客戶的不同的器件封裝定制相應的夾具,完成HTOL試驗。
溫度循環試驗(Temperature Cycle, TC)是為了考核産品在不同環境條件下(xià)的适應能力,判定封裝體(tǐ)熱脹冷縮的耐久性。我(wǒ)(wǒ)司擁有不同溫變速率的溫濕度環境試驗箱,可開(kāi)展的實驗類型包括:低溫試驗、高溫試驗、溫濕度循環試驗、恒定濕熱、快速溫變、溫度沖擊等。
高溫存儲壽命試驗(High temperature storage life test ,HTSL)是用于确定器件在高溫下(xià)的長期可靠性,在測試過程中(zhōng)不加電(diàn)。
杭州芯測微擁有多台高溫試驗箱,可開(kāi)展各種高溫存儲壽命試驗。
ATE測試(Automatic Test Equipment)于半導體(tǐ)産業意指集成電(diàn)路(IC)自動測試機, 用于檢測集成電(diàn)路功能之完整性, 為集成電(diàn)路生(shēng)産制造之最後流程, 以确保集成電(diàn)路生(shēng)産制造之品質。
功率循環(power cycling)顧名思義就是讓芯片間歇流過電(diàn)流産生(shēng)間隙發熱功率,從而使芯片溫度波動。因為熱源為芯片自身發熱,所以一(yī)般稱之為主動加熱。功率循環的周期一(yī)般為3~5秒。功率循環對IGBT模塊損傷的機理,主要是銅綁定線熱膨脹系數與芯片表面鋁層熱膨脹系數不同,芯片熱膨脹系數與DBC闆不同導緻的。損傷的結果主要是綁定線脫落、斷裂、芯片焊層分(fēn)離(lí)。
■ 基于新一(yī)代硬件平台研發的物(wù)聯平台,App.Web.Saas,客戶可使用各種終端設備
遠程/實時監控/各項試驗數據。
終端在手,試驗随時掌控